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功率器件 | 日本團隊合作開發出高品質第三代100mm氧化鎵外延片
為
降低
功率損失,研究人員正在開發由碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)制成的功率器件,但如果使用β-Ga2O3,則可以進一步減少功率損失并
降低
電氣設備的功耗。此外,由于可以使用比SiC和GaN更快的
制造
方法,因此預期
成本
會
降低
。所以,目前日本及其它國家都在積極推進研發,以期早日實現β-Ga2O3功率器件的商業化。
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CINNO
??? 4年前
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??? 1年前
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